"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойств твердых растворов Si1-xGex, полученных методом жидкофазной эпитаксии
Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1, Сапаев Б.1, Каражанов С.Ж.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

В статье получены и исследованы электрофизические свойства гетероструктур типа n-p-p+ на основе твердых растворов Si-Ge. Изучено распределение примесей в полученных структурах и их ВАХ. Экспериментальные результаты проанализированы и объяснены.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.