ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О смешанной проводимости, включающей квазиметаллическую проводимость по примесной зоне, в легированных полупроводниковых структурах

Н.В.Агринская , В.И.Козуб, Д.С.Полоскин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 августа 2009 г. Принята к печати 7 сентября 2009 г.)

Установлено существование смешанной проводимости в различных структурах GaAs/AlGaAs, возникающей в результате одновременного участия в проводимости разрешенных состояний валентной зоны и делокализованных примесных (акцепторных) состояний. Последние возникают в примесной зоне при большой концентрации примеси вследствие перехода Андерсона. Смешанная проводимость проявляется в наличии минимума в температурных зависимостях концентрации носителей, а также в заметном перегибе температурных зависимостей проводимости. Для расчетов использовались выражения для смешанной проводимости, полученные нами с учетом спектра примесных состояний в квантовых ямах (верхняя и нижняя примесные зоны Хаббарда), их степени заполнения, знаков проводящих носителей в валентной и примесной зонах. Основным использованным предположением являлась малость ширины примесных зон по сравнению с расстоянием до валентной зоны. Результаты расчетов обнаруживают хорошее согласие с экспериментом. Исходя из них были найдены энергии связи для верхней и нижней зон Хаббарда, концентрации акцепторов и степень компенсации. Показано, что широко используемые для расчета смешанной проводимости формулы в случае узких примесных зон требуют существенной корректировки.

 PDF версия (554Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster