ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в структурах на основе III-нитридов, легированных редкоземельными элементами (Eu, Er, Sm)

М.М.Мездрогина\kern1pt, Э.Ю.Даниловский, Р.В.Кузьмин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 июля 2009 г. Принята к печати 20 августа 2009 г.)

Исследовалось влияние введения редкоземельных ионов Eu, Er, Sm на вид спектра люминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaN/InxGa1-xN (0.1), а также переходов p-GaN<Mg>/n-GaN и p-AlGaN/n-GaN. Результаты измерений электролюминесценции структур коррелируют с полученными ранее данными по фотолюминесценции и мессбауэровской спектроскопии. Показано, что в структурах с несколькими квантовыми ямами GaN/InGaN, легированных Eu и Sm, важную роль в процессах возбуждения внутрицентровых состояний играет \glqq желтая\grqq (5000-6000 Angstrem) полоса GaN. Причем Eu, по всей видимости, является сенсибилизатором для Sm. Дополнительное введение 3d-металла (Fe57) в p-GaN<Mg>/n-GaN : Eu привело к реализации внутрицентровых переходов в Eu3+: 5D0->7F1 (6006 Angstrem), 5D0->7F2 (6195 Angstrem), 5D0->7F3 (6627 Angstrem), 5D1->7F4 (6327 Angstrem) вследствие появления новых эффективных каналов передачи возбуждения к внутрицентровым состояниям и к влиянию Fe на локальное окружение редкоземельных ионов, в том числе за счет усиления f-d-гибридизации.

 PDF версия (892Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster