ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS

Г.А.Ильчук\kern1pt+, В.В.Кусьнэж\kern1pt+, В.Ю.Рудь\kern1pt*, Ю.В.Рудь, П.Й.Шаповал\kern1pt+, Р.Ю.Петрусь\kern1pt+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 1 июня 2009 г. Принята к печати 8 июля 2009 г.)

Разработана новая технология химического поверхностного осаждения и получены тонкие пленки CdS (35-100 нм) на подложках p-CdTe. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, и показано, что развитый метод обеспечивает высокую эффективность фотопреобразования в диапазоне, ограничиваемом ширинами запрещенных зон СdTe и CdS. Показана возможность применения метода химического поверхностного осаждения CdS при создании тонкопленочных солнечных элементов n-CdS/p-CdTe.

 PDF версия (510Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster