ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge0.96Mn0.04

А.И.Дмитриев\kern1pt, Р.Б.Моргунов, О.Л.Казакова (O.L. Kazakova)\kern1pt+

Институт проблем химической физики Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
+ Национальная физическая лаборатория,
Теддингтон, Соединенное королевство Великобритании
(National Physical Laboratory, Teddington, United Kingdom of Great Britain)

(Получена 22 июня 2009 г. Принята к печати 30 июля 2009 г.)

Установлено, что отжиг полученных ионной имплантацией пленок Ge0.96Mn0.04 толщиной 120 нм приводит к увеличению микроволнового удельного сопротивления и смене механизма сбоя фазы носителей заряда. Влияние отжига на микроволновые транспортные свойства тонких пленок обусловлено диффузионно-контролируемой агрегацией примесных диспергированных ионов Mn2+ в кластеры Ge3Mn5.

 PDF версия (588Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster