ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Параметры самодиффузии в кристаллах подгруппы углерода

М.Н.Магомедов

Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 2 февраля 2009 г. Принята к печати 1 июля 2009 г.)

Рассчитаны параметры самодиффузии в кристаллах элементов подгруппы углерода: C, Si, Ge, alpha-Sn, Pb. Показано, что учет квантовых эффектов в делокализации атомов приводит к тому, что при низких температурах (меньших температуры Дебая) параметры самодиффузии сильно зависят от температуры, причем энтропия самодиффузии отрицательна: sd<0. С ростом температуры функция sd переходит в положительную область значений. Без каких-либо подгоночных параметров рассчитаны все термодинамические параметры самодиффузии полупроводниковых кристаллов подгруппы углерода. Изучена зависимость параметров самодиффузии от температуры при изобарическом нагреве кристаллов подгруппы IVa от T=0 K до температуры плавления. Получено хорошее согласие как с экспериментальными, так и с теоретическими оценками других авторов. Обсуждена корреляция энтропии с энтальпией самодиффузии и корреляции объема и энтропии самодиффузии на всем температурном интервале.

 PDF версия (648Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster