ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения

А.А.Лотин, О.А.Новодворский, Е.В.Хайдуков, В.В.Рочева, О.Д.Храмова,
В.Я.Панченко, К.Венцель*, Н.Трумпайска *, К.Д.Щербачев +

Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук,
140700 Шатура, Россия
* Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии,
D-01063 Дрезден, Германия
+ Московский государственный институт стали и сплавов,
119049 Москва, Россия

(Получена 28 мая 2009 г. Принята к печати 8 июня 2009 г.)

Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки MgxZn1-xO, содержащие Mg в концентрациях x=0-0.45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al2O3(00.1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg0.35Zn0.65O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0.78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0.8-1.5 нм в диапазоне x=0-0.27.

 PDF версия (714Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster