Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg_xZn_1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения

Лотин А.А.¹, Новодворский О.А.¹, Хайдуков Е.В.¹, Рочева В.В.¹, Храмова О.Д.¹, Панченко В.Я.¹, Венцель К.², Трумпайска Н.², Щербачев К.Д.³

¹Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

²Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии, Дрезден, Германия
³Московский государственный институт стали и сплавов, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 28 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg_xZn_1-xO, содержащие Mg в концентрациях x=0-0.45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al₂O₃(00.1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg_0.35Zn_0.65O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0.78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0.8-1.5 нм в диапазоне x=0-0.27.

A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S.F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segava, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki. Nature Mater., 4, 42 (2005)
Y. Ryu, T.-S. Lee, J.A. Lubguban, H.W. White, B.-J. Kim, Y.S. Park, C.J. Youn. Appl. Phys. Lett., 88 241 108(2006)
Jieying Kong, Sheng Chu, Mario Olmedo, Lin Li, Zheng Yang, Jialin Liu. Appl. Phys. Lett., 93, 132 113 (2008)
A. Nakamura, T. Ohashi, K. Yamamoto, J. Ishihara, T. Aoki, J. Temmio, H. Gotoh. Appl. Phys. Lett., 90, 093 512 (2007)
С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37 (11), 1329 (2003)
U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, G. Cantwell. Appl. Phys. Lett., 81 (10), 1830 (2002)
Ж.И. Алферов. УФН, 172 (9), 1073 (2002)
A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Sakurai, T. Yasuba. Appl. Phys. Lett., 72 (19), 2466 (1998)
А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, В.В. Рочева, Л.С. Паршина, Е.А. Черебыло. Тез. докл. Межд. форума по нанотехнологиям "Rusnanoforum-08" (Москва, 2008)
C. Yang, X.M. Li, Y.F. Gu, W.D. Yu, X.D. Gao, Y.W. Zhang. Appl. Phys. Lett., 93, 112 114 (2008)
T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, T. Yasuba, H. Koinuma. Appl. Phys. Lett., 78, 1237 (2001)
J.W. Mares, F.R. Ruhge, A.V. Thompson, P.G. Kik, A. Osinsky, B. Hertog, A.M. Dabiran, P.P. Chow, W.V. Schoenfeld. Opt. Mater, 30, 346 (2007)
О.А. Новодворский, Л.С. Горбатенко, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, Е.А. Черебыло, К. Венцель, Й.В. Барта, В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев. ФТП, 43 (4), 440 (2009)
J. Bruncko, J. Skriniarova, M. Michalka. Proc. IXth Intern. Conf. on Laser and Laser-Information-Technologies --- ILLA/LTL'2006 (Smolyan, Bulgaria, 2006) p. 399
П.Ю. Кардона. Основы физики полупроводников, пер. с англ. под ред. Б.П. Захарчени (М., Физматлит, 2002) 3-е изд
А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. Физика низкоразмерных систем (СПб., Наука, 2001)
S.J. Pearton, D.P. Norton, K. Ip, Y.W. Heo, T. Steiner. Superlat. Microstruct., 34, 6 (2003)
М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки (М., Мир, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель