ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb с глубокими
квантовыми ямами на гетерогранице

М.П.Михайлова , Э.В.Иванов, К.Д.Моисеев, Ю.П.Яковлев,
E.Hulicius *, A.Hospodkova *, J.Pangrac *, T.uSimeucek *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institute of Physics, Academy of Sciences of Czech Republic, v.v.i.,
16200 Prague, Czech Republic

(Получена 1 июня 2009 г. Принята к печати 8 июня 2009 г.)

Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0.3-0.4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77-380 K. Установлено, что при температуре свыше 75oC отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов(фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3-4 мкм.

 PDF версия (723Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster