ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем

А.Ф.Орлов\kern1pt, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов, Ю.Н.Пархоменко, А.В.Картавых\kern1pt*,
В.В.Сарайкин\kern1pt$, Ю.А.Агафонов\kern1pt, В.И.Зиненко\kern1pt

Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности \glqq Гиредмет\grqq,
119017 Москва, Россия
* Институт химических проблем микроэлектроники,
119017 Москва, Россия
$ Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина,
103460 Москва, Зеленоград, Россия
Институт проблем технологии микроэлектроники
и особо чистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 26 марта 2009 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Исследованы профили респределения примесей и сопротивления растекания в слоях ферромагнитного кремния, полученных имплантацией Mn (или Co). Стандартные пластины полупроводникового кремния n- и p-типа проводимости с высоким и низким удельным электросопротивлением были имплантированы ионами Mn дозами (1-5)·1016 см-2. Обнаружено, что в результате постимплантационного отжига в вакууме при 850oC в течение 5 мин Mn проявляет свойства амфотерной примеси и компенсирует акцепторы в высокоомном p-Si и доноры в низкоомном n-Si. Показано, что только незначительная часть ионов Mn, 1-2%, проявляет электрическую активность и участвует в компенсации. По величине компенсации определены энергии уровней Ec-0.12 эВ для n-Si и Ev+0.32 эВ для p-Si, принадлежащих ионам Mn в положениях внедрения в кристаллической решетке кремния, соответственно (Mni)-/0 и (Mni)+/++.

 PDF версия (583Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster