ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов

Н.В.Сибирев\kern1pt*,, М.В.Назаренко\kern1pt*, Г.Э.Цырлин\kern1pt+,*,x, Ю.Б.Самсоненко\kern1pt+,*,x, В.Г.Дубровский\kern1pt+,*

* Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
xИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 апреля 2009 г. Принята к печати 30 апреля 2009 г.)

Теоретически и экспериментально исследован вопрос о начальном этапе образования полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму \glqq пар-жидкость-кристалл\grqq. Показано, что капли малого размера либо зарастают, либо \glqq всплывают\grqq вместе с поверхностью двумерного эпитаксиального слоя. Рассчитана геометрическая форма нитевидных нанокристаллов на начальном этапе роста. Приведены экспериментальные данные по образованию GaAs-нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(111)B, активированных Au.

 PDF версия (770Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster