ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN

Н.С.Грушко, Л.Н.Вострецова\kern1pt, А.С.Амброзевич, А.С.Кагарманов

Ульяновский государственный университет,
432000 Ульяновск, Россия

(Получена 20 января 2009 г. Принята к печати 2 февраля 2009 г.)

Исследовались спектры электролюминесценции при постоянном токе в диапазоне температур 93-323 K светодиодной структуры на основе твердого раствора InGaN с содержанием In 11%. Установлено, что в спектрах электролюминесценции проявляются два максимума: с энергией 2.91 эВ, обусловленный рекомбинацией в квантовой яме InGaN, и с энергией 3.41 эВ при 153 K, вызванный межзонными излучательными переходами в GaN. Проанализированы ампер-яркостные характеристики при 93 и 293 K.

PACS: 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.30.Kk, 85.60.Jb

 PDF версия (323Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster