Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода

Павлюченко А.С.¹, Рожанский И.В.¹, Закгейм Д.А.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ЗАО "Эпицентр", Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена исследованию механизма снижения внешней квантовой эффективности в светодиодных гетероструктурах на основе AlInGaN при высокой плотности тока накачки. Проведены исследования зависимости внешней квантовой эффективности от температуры для двух типов гетероструктур с активной областью, расположенной в n- и p-области гетероструктуры. Экспериментально установлено, что зависимости внешнего квантового выхода от температуры при больших плотностях токов накачки для этих двух типов гетероструктур носят различный характер. С помощью численного моделирования показано, что указанное различие обусловлено различной температурной зависимостью коэффициента инжекции носителей в активную область гетероструктур с активной областью n- и p-типа. Полученные данные свидетельствуют о ключевой роли инжекционного механизма в эффекте падения внешнего квантового выхода с ростом тока накачки. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb

А.Л. Закгейм. Светодиоды и лазеры, 1--2, 33 (2002)
X.A. Cao, S.F. LeBoeuf, M.P.D. Evelyn, S.D. Arthur, J. Kretchmer, C.H. Yan, Z.H. Yang. Appl. Phys. Lett., 84 (21), 4313 (2004)
И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 40 (7), 867 (2006)
Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
A. Zakauskas, R. Gaska, M. Shur. Introduction to Solid-State Lighting (John Wiley \& Sons Inc., 2002)
T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, G.S. Simin, M.A. Khan. Sol. St. Electron., 47 (1), 111 (2003)
A. Nishikawa, K. Kumakura, Toshiki Makimoto. Appl. Phys. Lett., 91, 133 514 (2007)
I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim. Phys. Status Solidi A, 204 (1), 227 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель