Работа посвящена исследованию механизма снижения внешней квантовой эффективности в светодиодных гетероструктурах на основе AlInGaN при высокой плотности тока накачки. Проведены исследования зависимости внешней квантовой эффективности от температуры для двух типов гетероструктур с активной областью, расположенной в n- и p-области гетероструктуры. Экспериментально установлено, что зависимости внешнего квантового выхода от температуры при больших плотностях токов накачки для этих двух типов гетероструктур носят различный характер. С помощью численного моделирования показано, что указанное различие обусловлено различной температурной зависимостью коэффициента инжекции носителей в активную область гетероструктур с активной областью n- и p-типа. Полученные данные свидетельствуют о ключевой роли инжекционного механизма в эффекте падения внешнего квантового выхода с ростом тока накачки. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.