ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs

В.М.Калыгина , Е.С.Слюнько

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 12 марта 2009 г. Принята к печати 25 марта 2009 г.)

Проведен анализ электрических характеристик p+-i-n+-структур на основе двух типов эпитаксиальных слоев GaAs: структуры с i-слоем на основе нелегированного GaAs и i-слоем на основе GaAs : Cr. Прямые токи диодов первого типа обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 10-15 В определяются генерационной составляющей тока. При |U|>20 В рост тока обусловлен эффектом Пула-Френкеля, который с увеличением напряжения сменяется туннелированием электронов через вершину потенциального барьера, облегченным электрон-фононным взаимодействием. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p+-i-n+-диодов с i-слоем на основе GaAs : Cr объясняются монополярной инжекцией в полупроводник, которая с увеличением напряжения сменяется двойной инжекцией. Обратные вольт-амперные характеристики линейны в интервале 1-15 В; при |U|>20 В рост тока вызван ударной ионизацией.

PACS: 71.55.Eq, 73.20.Hb, 73.40Kp

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster