Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs

Калыгина В.М.¹, Слюнько Е.С.¹

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 12 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ электрических характеристик p⁺-i-n⁺-структур на основе двух типов эпитаксиальных слоев GaAs: структуры с i-слоем на основе нелегированного GaAs и i-слоем на основе GaAs : Cr. Прямые токи диодов первого типа обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 10-15 В определяются генерационной составляющей тока. При |U|>20 В рост тока обусловлен эффектом Пула-Френкеля, который с увеличением напряжения сменяется туннелированием электронов через вершину потенциального барьера, облегченным электрон-фононным взаимодействием. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p⁺-i-n⁺-диодов с i-слоем на основе GaAs : Cr объясняются монополярной инжекцией в полупроводник, которая с увеличением напряжения сменяется двойной инжекцией. Обратные вольт-амперные характеристики линейны в интервале 1-15 В; при |U|>20 В рост тока вызван ударной ионизацией. PACS: 71.55.Eq, 73.20.Hb, 73.40Kp

В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во "НЛТ", 2000)
С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТП, 39, 1907 (1997)
П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене. ФТП, 35, 188 (2001)
В. Карпус, В.И. Перель. ЖТФ, 91, 2319 (1986)
S.D. Ganichev, E. Ziemann, Th. Gleim, W. Prettl, I.N. Yassievich, V.I. Perel, I. Wilke, E.E. Haller. Phys. Rev. Lett., 80, 2409 (1998)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель