ФТП, 2009, том 43, выпуск 8

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин А.А. Оптимальный состав твердого раствора Bi₂Te_3-xSe_x для $n$ -ветви термогенератора	1009
Алиев Ф.Ф., Джафаров М.Б., Эминова В.И. Термоэлектрическая добротность Ag₂Se с избытком Ag и Se	1013

Электронные и оптические свойства полупроводников
Ермолович И.Б., Миленин В.В., Редько Р.А., Редько С.М. Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах	1016
Казанский С.А., Уоррен мл. В.В., Рыскин А.И. Спин-решеточная релаксация ядерных спинов ¹¹³Cd и ¹⁹F в кристаллической решетке полупроводниковых кристаллов CdF₂ с $DX$ -центрами	1021

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев Х.А. Фотоэлектрические свойства сэндвич-структуры из пленок, синтезированных в резко неравновесных условиях	1029

Низкоразмерные системы
Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Температурная зависимость термоэдс диска Корбино из антимонида индия в квантующем магнитном поле	1032
Талочкин А.Б., Чистохин И.Б., Марков В.А. Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge	1034
Горбатый И.Н. Спиновый эффект Холла в полупроводниковых структурах с пространственно неоднородной спиновой релаксацией	1039
Гуринович Л.И., Лютич А.А., Ступак А.П., Прислопский С.Я., Русаков Е.К., Артемьев М.В., Гапоненко С.В., Демир Х.В. Люминесценция квантово-размерных нанокристаллов и наностержней селенида кадмия во внешнем электрическом поле	1045

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Грузинцев А.Н., Емельченко Г.А., Масалов В.М. Фотолюминесценция ZnO, инфильтрованного в трехмерный фотонный кристалл	1054

Физика полупроводниковых приборов
Косяченко Л.А., Савчук А.И., Грушко Е.В. Влияние толщины поглощающего слоя на эффективность солнечного элемента CdS/CdTe	1060
Горбатюк А.В., Серков Ф.Б. Кооперативные эффекты при импульсном саморазогреве $p-i-n$ -диода	1065
Аверкиев Н.С., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения	1073
Новиков Ю.Н. Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах	1078
Хрипунов Г.С., Черных Е.П., Ковтун Н.А., Белоногов Е.К. Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия	1084
Иванов А.М., Мынбаева М.Г., Садохин А.В., Строкан Н.Б., Лебедев А.А. Транспорт заряда в структурах $4H$ -SiC-детекторов в условиях сильного электрического поля	1090
Данильченко В.Г., Корольков В.И., Солдатенков Ф.Ю. Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур	1093

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Мизеров А.М., Жмерик В.Н., Кайбышев В.К., Комиссарова Т.А., Масалов С.А., Иванов С.В. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (000 $V bar016 1$ ) при использовании различных способов активации азота	1096
Стецюра С.В., Маляр И.В., Сердобинцев А.А., Климова С.А. Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках	1102
Торхов Н.А., Новиков В.А. Фрактальная геометрия поверхностного потенциала электрохимически осажденных пленок платины и палладия	1109
Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Байдакова М.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически *delta* -легированных сурьмой и фосфором	1117
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кладько В.П., Кудрик Я.Я., Лебедев А.А., Миленин В.В., Шеремет В.Н. Свойства контактов GaN(SiC) $-$ (Ti,Zr)B_x, подвергнутых быстрым термоотжигам	1125
Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаров Д., Холиков К.Т. Возможность получения пленок (GaSb)_1-x(Si₂)_x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии	1131
Середин П.В., Гордиенко Н.Н., Глотов А.В., Журбина И.А., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Шишков М.В. Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP : Dy/por-GaAs/GaAs(100)	1137
Моисеев К.Д., Пархоменко Я.А., Гущина Е.В., Анкудинов А.В., Михайлова М.П., Берт Н.А., Яковлев Ю.П. Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs	1142