ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока

П.В.Васильев, С.К.Любутин, А.В.Пономарев, С.Н.Рукин\kern1pt,
Б.Г.Словиковский, С.Н.Цыранов, С.О.Чолах

Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук,
620016 Екатеринбург, Россия

(Получена 6 октября 2008 г. Принята к печати 20 ноября 2008 г.)

Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при микросекундном времени прямой накачки и низкой плотности тока. В эксперименте при времени обратной накачки ~200 нс и плотности обрываемого тока около 120 А/см2 получено время обрыва тока менее 10 нс при напряжении на SOS-диоде до 80 кВ. Приведены результаты численного моделирования процессов динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что стадия обрыва тока аналогична режиму SOS-эффекта, реализуемого при высокой плотности тока, и также связана с движением концентрационного фронта избыточной плазмы вдоль высоколегированной p-области структуры. Несмотря на низкую плотность тока в процессе его обрыва, процесс коммутации занимает несколько наносекунд. Это связано с тем, что малая величина плотности тока компенсируется малой концентрацией избыточной плазмы на фронте, что сохраняет высокую скорость движения этого фронта на стадии обрыва тока.

PACS: 84.30.Jc, 85.30.-z, 84.70.+p, 72.30.+q, 73.50.Mk

 PDF версия (125Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster