Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при микросекундном времени прямой накачки и низкой плотности тока. В эксперименте при времени обратной накачки ~200 нс и плотности обрываемого тока около 120 А/см² получено время обрыва тока менее 10 нс при напряжении на SOS-диоде до 80 кВ. Приведены результаты численного моделирования процессов динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что стадия обрыва тока аналогична режиму SOS-эффекта, реализуемого при высокой плотности тока, и также связана с движением концентрационного фронта избыточной плазмы вдоль высоколегированной p-области структуры. Несмотря на низкую плотность тока в процессе его обрыва, процесс коммутации занимает несколько наносекунд. Это связано с тем, что малая величина плотности тока компенсируется малой концентрацией избыточной плазмы на фронте, что сохраняет высокую скорость движения этого фронта на стадии обрыва тока. PACS: 84.30.Jc, 85.30.-z, 84.70.+p, 72.30.+q, 73.50.Mk

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.