ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов

В.К.Ионычев , А.Н.Ребров

Мордовский государственный университет,
430000 Саранск, Россия

(Получена 11 ноября 2008 г. Принята к печати 17 ноября 2008 г.)

Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры.

PACS: 71.55.Cn, 85.30.Kk, 85.30.Mn

 PDF версия (161Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster