| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения
и фотонапряжения
Г.А.Набиев
Ферганский политехнический институт,
105107 Фергана, Узбекистан
(Получена 5 августа 2008 г. Принята к печати 15 декабря 2008 г.)
|
Предложен метод определения механизма генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках: разделение носителей на -переходе или фотодиффузия носителей. Метод основан на спектральных характеристиках коэффициента поглощения и фотонапряжения. PACS: 73.50.Pz |
| PDF версия (91Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |