ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи
при исследовании поверхности

В.М.Корнилов\kern1pt, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов\kern1pt*, В.А.Беспалов\kern1pt*

Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук,
450075 Уфа, Россия
* Московский государственный институт электронной техники (технический университет),
124498 Зеленоград, Россия

(Получена 27 октября 2008 г. Принята к печати 5 ноября 2008 г.)

Представлены результаты экспериментального исследования методом сканирующей туннельной микроскопии поверхности кремния с естественным слоем окисла. Показано, что наблюдаемая модификация поверхности вызвана образованием каналов утечки в слое двуокиси кремния. Методически обоснована и показана возможность использования режима ошибки обратной связи для создания и исследования каналов утечки, индуцированных напряжением на туннельном зазоре. Используемая методика позволяет исследовать особенности формирования токовых каналов и тем самым диагностировать электрофизические свойства нанометровых слоев SiO2.

PACS: 68.37.Ef, 73.40.Gk

 PDF версия (604Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster