Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности
1Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия 
2Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Россия
2Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Представлены результаты экспериментального исследования методом сканирующей туннельной микроскопии поверхности кремния с естественным слоем окисла. Показано, что наблюдаемая модификация поверхности вызвана образованием каналов утечки в слое двуокиси кремния. Методически обоснована и показана возможность использования режима ошибки обратной связи для создания и исследования каналов утечки, индуцированных напряжением на туннельном зазоре. Используемая методика позволяет исследовать особенности формирования токовых каналов и тем самым диагностировать электрофизические свойства нанометровых слоев SiO2. PACS: 68.37.Ef, 73.40.Gk
- А.А. Бухараев, А.В. Назаров, В.Ю. Петухов, К.М. Салихов. Письма ЖТФ, 16, 8 (1990)
- М.С. Хайкин, А.М. Трояновский, В.С. Эдельман, В.М. Пудалов, С.Г. Семенчинский. Письма ЖЭТФ, 44, 193 (1988)
- V.V. Levenets, V.I. Beklemishev, E.P. Kirilenko, I.I. Makhonin, A.Yu. Trifonov, B.A. Loginov, V.V. Protasenko. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1723 (1995)
- Д.В. Вялых, С.И. Федосеенко. ФТП, 33, 708 (1999)
- J.A. Dagata, J. Schneir, H.H. Harary, C.J. Evans, M.T. Postek, J. Bennet. Appl. Phys. Lett., 56, 2001 (1990)
- Л.Н. Болотов, В.А. Козлов, И.В. Макаренко, А.Н. Титков. ФТП, 27, 1375 (1993)
- J.W. Lyding, T.-C. Shen, J.S. Hubacek, J.R. Tucker, G.C. Abeln. Appl. Phys. Lett., 64, 2010 (1994)
- J.A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, H. Yokoyama. J. Appl. Phys., 99, 2386 (2004)
- G. Abadal, F. Perez-Murano, N. Barniol, X. Aymerich. Appl. Phys. A, 66, 791 (1998)
- M. Porti, M. Nafria, M.C. Blum, X. Aymerich, S. Sadewasser. Surf. Sci., 532--535, 727 (2003)
- K. Ohmori, Z. Shigeaki, Y. Yasuda. Appl. Surf. Sci., 162--163, 395 (2000)
- E.T. Enikov, A. Palaria. Nanotechnology, 15, 1211 (2004)
- В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. ФТП, 37, 323 (2003)
- V.M. Kornilov, A.N. Lachinov. Microelectron. Eng., 69, 399 (2003)
- H. Watanabe, K. Fujita, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 72, 1987 (1998)
- А.В. Юхневич, О.П. Лосик, В.Л. Кузнецов, А.В. Паненко. Поверхность, N 8, 95 (2001)
- K. Kyuno, K. Kita, A. Toriumi. Appl. Phys. Lett., 86, 063 510 (2005)
- V.M. Kornilov, A.N. Lachinov. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 145 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
