ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межсегментное сопротивление в кремниевых позиционно-чувствительных приемниках
излучений на основе p-n-переходов

В.К.Еремин, Е.М.Вербицкая, И.Н.Ильяшенко, И.В.Еремин, Н.Н.Сафонова,
Ю.В.Тубольцев, Н.Н.Егоров\kern1pt*, С.А.Голубков\kern1pt*, К.А.Коньков\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* НИИ материаловедения,
124460 Зеленоград, Россия

(Получена 15 октября 2008 г. Принята к печати 24 октября 2008 г.)

Проведено исследование межсегментной изоляции в матрицах p-n-переходов на основе высокоомного кремния, которое определило взаимовлияние соседних элементов позиционно-чувствительных приемников излучения. Показано, что в условиях глубокого обеднения при приложениии обратного напряжения к p-n-переходу вольт-амперные характеристики межсегментного промежутка имеют участок ступенчатого изменения тока, определяющий сопротивление межсегментной изоляции. Данная особенность обусловлена эффектом переключения небольшой части объемного тока между соседними сегментами. При этом влияние омической проводимости между сегментами на сопротивление межсегментной изоляции оказывается на порядок меньше влияния переключения объемного тока.

PACS: 29.40.Gx, 29.40.-n

 PDF версия (586Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster