ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантовое решение задачи аккумуляционного слоя n-InN

А.А.Клочихин\kern1pt*+, И.Ю.Страшкова\kern1pt*

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт ядерной физики Российской академии наук,
188350 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 августа 2008 г. Принята к печати 6 октября 2008 г.)

Развита квантовая теория аккумуляционного слоя для n-типа кристаллов InN и кристаллов со сходными свойствами, в которой наряду с кулоновским вкладом учтено обменное электрон-электронное взаимодействие в рамках приближения локальной плотности Кона-Шэма. Применимость теории продемонстрирована на примере экспериментальных данных, опубликованных в литературе в последнее время. Развитый подход обеспечивает наиболее надежную базу для определения параметров аккумуляционных слоев.

PACS: 71.20.Nr, 73.20.At, 73.20.Mf, 73.61.Ey

 PDF версия (642Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster