ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC

А.А.Лебедев\kern1pt, П.Л.Абрамов, Е.В.Богданова, А.С.Зубрилов, С.П.Лебедев,
Д.К.Нельсон, Н.В.Середова, А.Н.Смирнов, А.С.Трегубова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 августа 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6)·1018 см-3.

PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 68.55.Jk, 73.61.Le, 78.30.Hv

 PDF версия (785Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster