ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изменение активности рекомбинационных центров
в кремниевых p-n-структурах в условиях
акустического нагружения

О.Я.Олих

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (физический факультет),
03127 Киев, Украина

(Получена 2 октября 2008 г. Принята к печати 20 ноября 2008 г.)

Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до  0.6 Вт/см2). Выявлены уровни с термической энергией активации 0.44, 0.40, 0.37, 0.48 и 0.46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом BSO2i, а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса BSO2i.

PACS: 43.35.Ty, 71.55.Cn, 61.72.Ji

 PDF версия (631Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster