ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном
транзисторе In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As

М.Л.Орлов, Л.К.Орлов

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950, ГСП-105 Нижний Новгород, Россия

(Получена 10 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Обсуждается эффект отрицательного дифференциального сопротивления, наблюдаемый при аномально низких напряжениях на выходных характеристиках модулированно--легированного полевого транзистора In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As. В обсуждаемых экспериментах порог появления отрицательного дифференциального сопротивления зависит не только от длины затвора, на что указывалось ранее, но и от разности потенциалов между затвором и стоком. Показано, что отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдаемое на выходных характеристиках короткоканального полевого транзистора In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As при аномально низких значениях порогового напряжения, связано с формированием второго транспортного канала вследствие резонансного перехода горячих электронов с верхних уровней квантовой ямы в надбарьерный слой через состояния ионизованной донорной примеси. Результаты анализа низкочастотного эксперимента привлекаются для объяснения расщепления линии излучения короткоканального транзистора в терагерцовом диапазоне частот.

PACS: 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.50.Mx, 85.30.Tv

 PDF версия (706Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster