Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном транзисторе In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As

Орлов М.Л.¹, Орлов Л.К.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 10 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждается эффект отрицательного дифференциального сопротивления, наблюдаемый при аномально низких напряжениях на выходных характеристиках модулированно-легированного полевого транзистора In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As. В обсуждаемых экспериментах порог появления отрицательного дифференциального сопротивления зависит не только от длины затвора, на что указывалось ранее, но и от разности потенциалов между затвором и стоком. Показано, что отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдаемое на выходных характеристиках короткоканального полевого транзистора In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As при аномально низких значениях порогового напряжения, связано с формированием второго транспортного канала вследствие резонансного перехода горячих электронов с верхних уровней квантовой ямы в надбарьерный слой через состояния ионизованной донорной примеси. Результаты анализа низкочастотного эксперимента привлекаются для объяснения расщепления линии излучения короткоканального транзистора в терагерцовом диапазоне частот. PACS: 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.50.Mx, 85.30.Tv

Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky. J. Appl. Phys., 77, 1337 (1995)
H. Asai, Yu. Kawamura. Phys. Rev. B, 43, 4748 (1991).
P.M. Mensz, P.A. Garbinski, A.Y. Cho, D.L. Sivco, S. Lurie. Appl. Phys. Lett., 57, 2558 (1990)
P.M. Mensz, S. Luryi, A.Y. Cho, D.L. Sivco, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 56, 2563 (1990)
W. Knap, J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V.V. Popov, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 84, 2331 (2004)
K.Y. Jang, T. Sugaya, C.K. Hahn, M. Ogura, K. Komori, A. Shinoda, K. Yonei. Appl. Phys. Lett., 83, 701 (2003)
N. Dyakonova, F. Teppe, J. Lusakovski, W. Knap, M. Levinshtein, A.P. Dmitriev, M.S. Shur, S. Bollaert, A. Cappy. J. Appl. Phys., 97, 114 313 (2005)
J. Lusakovksi, W. Knap, N. Dyakonova, L. Varani, J. Mateos, T. Gonzales, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Cappy, K. Karpierz. J. Appl. Phys., 97, 064 307 (2005)
W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 67, 801 (1995)
Дж. Кэррол. СВЧ-генераторы на горячих электронах (М., Мир, 1972) гл. 3
В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
L.K. Orlov, N.L. Ivina, V.B. Shevtsov, N.A. Alyabina. Microelectronics J., 36, 338 (2005)
L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 9 (2004)
Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. ФТТ, 46, 913 (2004)
T. Sugaya, K.Y. Jang, C. Koo, K. Komori, A. Shinoda, K. Yonei. J. Appl. Phys., 97, 034 507 (2005)
M.L. Orlov, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Proc. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (Novosibirsk, 2007) p. 143
М.Л. Орлов, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shchepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Тр. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2007) с. 545
М.Л. Орлов, A.El Fatimy, К. Маремьянин, А. Антонов, Н. Дьяконова, W. Knap, В.И. Гавриленко, А. Шепетов, S. Bolaert, A. Cappy. Тез. докл. 8-й Росс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники 2007" (Екатеринбург, 2007) с. 233
М.Л. Орлов, W. Knap. Тр. Межд. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2008) с. 335
М.Л. Орлов. Изв. РАН. Сер. физ., 73 (1), 115 (2009)
M. Dyakonov, M.S. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
V.N. Shastin, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, S.G. Pavlov, M.H. Rummeli, H.-W. Hubers, J.N. Hovenier, T.O. Klaassen, H. Riemann, I.V. Bradley, A.F.G. van der Meer. Appl. Phys. Lett., 80, 3512 (2002)
H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, H. Riemann, V.N. Shastin. Physica B: Condens. Matter, 308--310, 232 (2001)
М.Е. Левинштейн, Ю.К. Пожела, М.С. Шур. Эффект Ганна (М., Сов. Радио, 1975) гл. 8.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель