ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре

И.А.Кузнецова , А.А.Юшканов *, Р.Р.Хадчукаев

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова,
150000 Ярославль, Россия
* Московский государственный областной университет,
105005 Москва, Россия

(Получена 17 января 2008 г. Принята к печати 30 сентября 2008 г.)

В рамках классической кинетической теории исследуется высокочастотная проводимость тонкой прямой полупроводниковой проволоки круглого сечения. Расчет проводится для случая примесного полупроводника с простой зонной структурой при произвольном вырождении. Соотношение между радиусом проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным. Рассматривается диффузный механизм отражения носителей заряда от границы проволоки.

PACS: 72.20.Dp, 73.50.Gr, 73.50.Mx

 PDF версия (187Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster