Вышедшие номера
Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC
Потапов А.С.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200oC в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов - фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450oC) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns