ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC

А.С.Потапов, П.А.Иванов, Т.П.Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 сентября 2008 г. Принята к печати 7 октября 2008 г.)

Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200oC в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов --- фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450oC) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns

 PDF версия (168Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster