ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига

О.В.Александров , Е.В.Калинина *

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 сентября 2008 г. Принята к печати 22 сентября 2008 г.)

Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных (\glqq box-shaped\grqq) профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между alpha- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя.

PACS: 61.72.Bb, 85.40.Ry

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster