Вышедшие номера
Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига
Александров О.В.1, Калинина Е.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между alpha- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. PACS: 61.72.Bb, 85.40.Ry
  1. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, М.Б. Рейфман. ФТТ, 8, 1298 (1966)
  2. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. ФТТ, 11, 519 (1969)
  3. Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.П. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. ФТП, 11 (2), 373 (1977)
  4. H. Wirth, D. Panknin, W. Scorupa, E. Niemann. Appl. Phys. Lett., 74, 979 (1999)
  5. I.O. Usov, A.A. Suvorova, V.V. Sokolov, Y.A. Kudryavtsev, A.V. Suvorova. J. Appl. Phys., 86, 6039 (1999)
  6. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
  7. A. Addamiano, G.W. Anderson, J. Comas, Y.L. Hughes, W. Lucke. J. Electrochem. Soc., 119, 1355 (1972)
  8. W. Lucke, J. Comas, G. Gubler, K. Dunning. J. Appl. Phys., 46, 994 (1975)
  9. Y. Tajima, K. Kijima, W.D. Kingery. J. Chem. Phys., 77, 2592 (1982)
  10. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itohl, G. Pensl, J. Heindl (b), H.P. Strunk, M. Maier. Phys. Status Solidi A, 162, 277 (1997)
  11. N. Chechenin, K. Bourdelle, A. Suvorov, A. Kastilio-Vitlosh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 65, 341 (1992)
  12. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоиздат, 1985)
  13. M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Hallen, B.G. Svensson. J. Appl. Phys., 93, 8903 (2003)
  14. M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Hallen, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 76, 1434 (2000)
  15. A.M. Mazzone. Phys. Status Solidi A, 95, 149 (1986)
  16. Е.В. Калинина, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Ситникова, А. Садохин, А. Азаров, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев. ФТП, 42, 87 (2008)
  17. E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Sol. St. Phenomena, 131--133, 53 (2008)
  18. О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 32, 1420 (1998)
  19. О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 34, 3 (2000)
  20. О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, R. Asomaza, Yu. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines. ФТП, 37, 1409 (2003)
  21. О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ФТП, 39, 647 (2005)
  22. Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
  23. T.O. Sedgwick, A.E. Michel, V.R. Devine, S.A. Cohen, J.B. Lasky. J. Appl. Phys., 63, 1452 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.