ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фрактальный характер
распределения неоднородностей
потенциала поверхности n-GaAs(100)

Н.А.Торхов, В.Г.Божков

Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов,
634050 Томск, Россия

(Получена 7 августа 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

С использованием метода Кельвина атомно-силовой микроскопии исследовалась фрактальная геометрия потенциального рельефа поверхности высоколегированной подложки n+-GaAs(100). Средние значения фрактальных размерностей Df потенциального рельефа, определенных методом триангуляции, методом горизонтальных сечений Dc и методом подобия Ds, достаточно близки друг к другу, что указывает на единую природу формирования фрактального рельефа потенциала поверхности. В целом полученные значения фрактальных размерностей говорят о том, что относительное расположение локальных неоднородностей потенциального рельефа высоколегированной подложки n+-GaAs(100) после химико-динамической полировки аналогично узору известной фрактальной кривой под названием \glqq салфетка Серпинского\grqq. Было получено, что изменение фрактальных неоднородностей потенциала происходит не пропорционально квадрату изменения линейных размеров исследуемых участков, как в двумерном случае, а значительно медленнее --- пропорционально изменению их линейных размеров в степени 2/Dc, где 1c<2.

PACS: 61.43.Hv, 63.35.Ct, 68.35.B-, 68.37.Ps, 68.47.Fg

 PDF версия (1.4Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster