ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда

Л.А.Бакалейников, Я.В.Домрачева, М.В.Заморянская,
Е.В.Колесникова, Т.Б.Попова, Е.Ю.Флегонтова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 июля 2008 г. Принята к печати 18 июля 2008 г.)

Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN.

PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En

 PDF версия (200Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster