ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием

О.А.Новодворский\kern1pt, Л.С.Горбатенко, В.Я.Панченко, О.Д.Храмова, Е.А.Черебыло,
К.Венцель\kern1pt+, Й.В.Барта\kern1pt+, В.Т.Бублик\kern1pt*, К.Д.Щербачев\kern1pt*

Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук,
140700 Шатура, Россия
+ Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии,
D-01063 Дрезден, Германия
* Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет),
119049 Москва, Россия

(Получена 2 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2.5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления.

PACS: 68.55.Ln, 78.55.Hx, 78.67.-n, 81.15.Fg

 PDF версия (226Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster