ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x

А.С.Саидов, А.Ю.Лейдерман, Ш.Н.Усмонов, К.Т.Холиков

Физико-технический институт им. С.В. Старбодубцева Академии наук Республики Узбекистан,
100084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 8 апреля 2008 г. Принята к печати 25 июня 2008 г.)

Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0=< x=<0.01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V0exp(JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей --- дырок --- уменьшается с ростом температуры.

PACS: 73.40.Lq, 81.05.Dz

 PDF версия (184Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster