ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs2), облученного ионами H+

В.Н.Брудный , Т.В.Ведерникова

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 20 мая 2008 г. Принята к печати 10 июня 2008 г.)

Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs2, облученного ионами H+ (энергия E=5 МэВ, доза D=2·1016 см-2). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала: коэффициент Холла RH(D)lim~-4·103 см3/Кл, проводимость sigma(D)lim~2.9·10-2 Ом-1·см-1 и положение уровня Ферми Flim~0.58 эВ выше потолка валентной зоны при 300 K. Вычислено энергетическое положение \glqq нейтральной\grqq точки соединения ZnSnAs2.

PACS: 61.80.Jh, 73.61.Le

 PDF версия (150Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster