ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC

А.А.Лебедев , П.Л.Абрамов, Н.В.Агринская, В.И.Козуб, А.Н.Кузнецов, С.П.Лебедев,
Г.А.Оганесян, А.С.Трегубова, А.В.Черняев, Д.В.Шамшур, М.О.Скворцова *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 10 апреля 2008 г. Принята к печати 24 апреля 2008 г.)

На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров Nd-Na=<q3·1017 см-3 в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик.

PACS: 71.30.+h, 72.15.Gd, 72.20.Fr

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster