Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре

Лобанов Д.Н.¹, Новиков А.В.¹, Кудрявцев К.Е.¹, Шенгуров Д.В.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Яблонский А.Н.¹, Шмагин В.Б.¹, Красильник З.Ф.¹, Захаров Н.Д.², Werner P.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle/Saale, Germany

Поступила в редакцию: 2 июня 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001)-островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600^oC, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1.3-1.55 мкм. Отжиг структур с Ge(Si)-островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1.3-1.55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0.01%. PACS: 73.40.Lq, 78.55.-m, 78.60.Fi, 78.67.Hc

M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Lett. Nature, 412, 805 (2001)
W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, А.В. Ненашев. Письма ЖЭТФ, 83, 189 (2006)
W.-H. Chang, A.T. Chou, W.Y. Chen, H.S. Chang, T.M. Hsu, Z. Pei, P.S. Chen, S.W. Lee, L.S. Lai, S.C. Lu, M.-J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 83, 2958 (2003)
M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 3232 (2003)
T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77, 1822 (2000)
M.H. Liao, C.-Y. Yu, T.-H. Guo, C.-H. Lin, C.W. Liu. IEEE Electron. Dev. Lett., 27, 252 (2006)
V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198, R4 (2003)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 425 (2002)
U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt, H. Sigg. Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
W.-H. Chang, W.-Y. Chen, A.-T. Chou, T.-M. Hsu, P.-S. Chen, Z. Pei, L.-S. Lai. J. Appl. Phys., 93, 4999 (2003)
V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42 (3), 291 (2008)
Р.Дж. Киес, П.В. Крузе, Э.Г. Патли, Д. Лонг, Г.Р. Цвиккер, А..Ф Милтон, М.К. Тейч. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов (М., Радио и связь, 1985) с. 98. [Пер. с англ.: R.J. Keyes, P.W. Kruse, D. Long, A.F. Milton, E.H. Putley, M.C. Teich, H.R. Zwicker. Optical and infrared detectors, ed. by R.J. Keyes (Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg; N. Y., Topics in applied physics, 1980) v. 19]
M. Floyd, Y. Zhang, K.P. Driver, J. Drucker, P.A. Crozier, D.J. Smith. Appl. Phys. Lett., 82, 1473 (2003)
G. Capellini, M. De Seta, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 78, 303 (2001)
O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999)
A.V. Novikov, M.V. Shaleev, D.N. Lobanov, A.N. Yablonsky, N.V. Vostokov, Z.F. Krasilnik. Physica E, 23, 416 (2004)
I.A. Buyanova, W.M. Chen, G. Pozina, B. Monemar, W.-X. Ni, G.V. Hansson. Appl. Phys. Lett., 71, 3676 (1997)
M. De Seta, G. Capellini, F. Evangelisti, C. Ferrari, L. Lazzarini, G. Salviati, R.W. Peng, S.S. Jiang. J. Appl. Phys., 102, 043 518 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель