ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О природе << тяжелых>> электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа

М.И.Даунов, И.К.Камилов, С.Ф.Габибов

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 18 июня 2007 г. Принята к печати 30 мая 2008 г.)

Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой \glqq тяжелыми\grqq электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R(T,H,P) и удельной электропроводности sigma0(T,P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe.

PACS: 72.20.Fr, 72.20.My, 71.20.Nr, 71.55.Gs

 PDF версия (251Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster