"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поглощение, спектры возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания кристаллов ZnS(O)-ZnSe(O) в модели непересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Мидерос Д.А.1, Данилевич Н.Д.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Приведены результаты оптических исследований спектров поглощения, возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания для системы твердых растворов с резким несоответствием свойств анионов ZnS(O)-ZnSe(O). Показано, что применение теории непересекающихся зон дает глобальное объяснение особенностей их оптических свойств, которые ранее не получали интерпретации. В работе представлена зонная модель переходов с поглощением в сложной мультизоне, инициированной кислородом. Дается интерпретация деталей спектров поглощения, возбуждения люминесценции, свидетельствующих о распределении и формах присутствия кислорода в кристаллах. Рассмотрено влияние кислорода на полосу пропускания ZnS-ZnSe в ближнем инфракрасном диапазоне. Дан новый подход к интерпретации инфракрасных полос поглощения, обусловленных присутствием растворенного кислорода. Предложены схемы расчета, позволяющие определить спектральное положение полос в зависимости от концентрации растворенного кислорода. PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 78.40.Fy, 78.55.Et, 78.66.Hf
  • K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 403 (2003)
  • W. Sahn, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  • J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller. Phys. Rev. B, 65, 233 210 (2002)
  • P. Perlin, P. Wisniewski, C. Skierbiszewski, T. Suski, E. Kaminska, S.G. Subramanya, E.R. Weber, D.E. Mars, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 76, 1279 (2000)
  • C. Tablero. Phys. Rev. B, 72, 035 213 (2005)
  • D.J. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, D. Myers, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 195, 409 (1998)
  • Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  • Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  • Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 12 (2007)
  • Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 3 (2008)
  • Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук. Изв. вузов. Физика, 10, 166 (2006)
  • Д.А. Мидерос, Н.К. Морозова. Матер. докл. 36 межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2006) с. 163
  • Д.А. Мидерос, Н.К. Морозова. Матер. докл. 37 межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2007) с. 156
  • Н.К. Морозова, И.А. Каретников, К.В. Голуб, Н.Д. Данилевич, В.М. Лисицын, В.И. Олешко. ФТП, 39 (5), 513 (2005)
  • Н.К. Морозова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1964)
  • Jingbo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 41 201 (2006)
  • J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, S.X. Li, E.E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. Sol. St. Commun., 127, 411 (2003)
  • S.X. Li, E.E. Haller, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu, William J. Schaff. Lawrence Berkeley National Laboratory (2005) paper LBNL-57562
  • В.В. Блинов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  • Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук, В.Г. Плотниченко, Э.В. Яшина, В.Б. Иконников. ФТП, 38 (1), 39 (2004)
  • А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев, А.В. Цикунов, А.В. Пересторонин, М.В. Якимов. ФТТ, 40 (6), 1010 (1998)
  • M.J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A.K. Ramdas, S. Miotkowska. Phys. Rev. B, 62 (3), 1866 (2000)
  • Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян, Э.В. Яшина. Неорг. матер., 40 (11), 1138 (2004).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.