| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Излучательная рекомбинация в матрице CdMgTe с ультратонкими узкозонными слоями CdMnTe
В.Ф.Агекян, А.Ю.Серов, Ю.А.Степанов, Н.Г.Философов, Д.Б.Бембитов, G.Karczewski
НИИ физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
Петродворец, 198504 Санкт-Петербург, Россия
Institute of Physics, Polish Academy of Science,
02-668 Warsaw, Poland
(Получена 22 апреля 2008 г. Принята к печати 30 апреля 2008 г.)
|
Экситонное излучение трех структур, которые состоят из слоев CdMnTe с толщиной 0.5, 1.5 и 3.0 монослоя, разделенных толстыми широкозонными слоями CdMgTe, исследовано в интервале температур K. Для расчета спектров плотности экситонных состояний этих структур применена простая модель, основанная на изменении элементного состава твердого раствора внутри экситонной сферы в зависимости от ее положения относительно узкозонного слоя. Показано, что энергетическая протяженность спектров излучения и плотности состояний, а также положения их характерных особенностей согласуются. При слабом возбуждении ( Вт/см) нагревание образцов от 13 K приводит к относительному ослаблению излучения экситонов, локализованных в слоях CdMgTe, так что при 80 K оно значительно слабее излучения экситонов, связанных на укзкозонных слоях. В условиях сильного возбуждения ( Вт/см) при 80 K преобладает экситонное излучение слоев CdMgTe, но при комнатной температуре доминирует излучение узкозонных слоев. Внутрицентровая люминесценция Mn в образце с 3 монослоями CdMnTe имеет дублетную структуру, компоненты которой соответствуют внутреннему и наружным слоям трехслойных планарных включений, содержащих марганец. PACS: 78.30.Fs, 78.55.Et, 78.67.Pt, 71.35.-y |
| PDF версия (252Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |