"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса
Тысченко И.Е.1, Фёльсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 4 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Исследованы закономерности эндотаксиального роста промежуточных слоев германия на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе из имплантированного ионами Ge+ захороненного слоя SiO2 в зависимости от температуры отжига. На основе результатов высокоразрешающей микроскопии и термодинамического анализа системы Si/Ge/SiO2 сделано предположение о том, что эндотаксиальный рост слоя Ge происходит через образование расплава за счет ускоренной сегрегации и накопления Ge на границе Si/SiO2. Изучено влияние германия на границе сращивания на холловскую подвижность дырок в слоях кремния нанометровой толщины. Обнаружено, что структуры с толщиной отсеченного слоя кремния 3-20 нм, содержащие германий, обладают подвижностью дырок, в 2-3 раза превышающей подвижность дырок в соответствующих структурах кремний-на-изоляторе без германия. PACS: 61.72.Ww, 68.55.-a, 73.40.Ty, 73.50.Dn, 81.20.Vj, 81.40.Ef
  • M. Prunilla, J. Ahopelto, F. Gamiz. Appl. Phys. Lett., 84, 2298 (2004)
  • T. Hosoi, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L1598 (2004)
  • I. Angstremberg, C.N. Chleirigh, J.L. Hoyt. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 1021 (2006)
  • N. Rodriguez, S. Cristoloveanu, F. Gamiz. J. Appl. Phys., 102, 083 712 (2007)
  • G.(M.) Xia, J.L. Hoyt, M. Canonico. J. Appl. Phys., 101, 044 901 (2007)
  • T. Uehara, H. Matsubara, R. Nakane, S. Sugahara, S.-I. Takagi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 2117 (2007)
  • И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 41, 301 (2007). [I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Semiconductors, 41, 291 (2007)]
  • M. Myronov, T. Irisawa, S. Koh, O.A. Mironov, T.E. Whall, E.H.C. Parker, Y. Shiraki. J. Appl. Phys., 97, 083 701 (2005)
  • T. Uehara, H. Matsubara, R. Nakane, S. Sugahara, S.-I. Takagi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 2117 (2007)
  • M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
  • B. Schmidt, D. Grambole, F. Herrmann. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 191, 482 (2002)
  • E. Bauer, J.H. Van der Merwe. Phys. Rev. B, 33, 3657 (1986)
  • M.Q. Xu, I.D. Sharp, C.W. Yuan, D.O. Yi, C.Y. Liao, A.M. Glaeser, A.M. Minor, J.W. Beeman, M.C. Ridgway, P. Kluth, J.W. Ager III, D.C. Chrzan, E.E. Haller. Phys. Rev. Lett., 97, 155 701 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.