"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса
Тысченко И.Е.1, Фёльсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 4 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Исследованы закономерности эндотаксиального роста промежуточных слоев германия на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе из имплантированного ионами Ge+ захороненного слоя SiO2 в зависимости от температуры отжига. На основе результатов высокоразрешающей микроскопии и термодинамического анализа системы Si/Ge/SiO2 сделано предположение о том, что эндотаксиальный рост слоя Ge происходит через образование расплава за счет ускоренной сегрегации и накопления Ge на границе Si/SiO2. Изучено влияние германия на границе сращивания на холловскую подвижность дырок в слоях кремния нанометровой толщины. Обнаружено, что структуры с толщиной отсеченного слоя кремния 3-20 нм, содержащие германий, обладают подвижностью дырок, в 2-3 раза превышающей подвижность дырок в соответствующих структурах кремний-на-изоляторе без германия. PACS: 61.72.Ww, 68.55.-a, 73.40.Ty, 73.50.Dn, 81.20.Vj, 81.40.Ef
  1. M. Prunilla, J. Ahopelto, F. Gamiz. Appl. Phys. Lett., 84, 2298 (2004)
  2. T. Hosoi, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L1598 (2004)
  3. I. Angstremberg, C.N. Chleirigh, J.L. Hoyt. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 1021 (2006)
  4. N. Rodriguez, S. Cristoloveanu, F. Gamiz. J. Appl. Phys., 102, 083 712 (2007)
  5. G.(M.) Xia, J.L. Hoyt, M. Canonico. J. Appl. Phys., 101, 044 901 (2007)
  6. T. Uehara, H. Matsubara, R. Nakane, S. Sugahara, S.-I. Takagi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 2117 (2007)
  7. И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 41, 301 (2007). [I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Semiconductors, 41, 291 (2007)]
  8. M. Myronov, T. Irisawa, S. Koh, O.A. Mironov, T.E. Whall, E.H.C. Parker, Y. Shiraki. J. Appl. Phys., 97, 083 701 (2005)
  9. T. Uehara, H. Matsubara, R. Nakane, S. Sugahara, S.-I. Takagi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 2117 (2007)
  10. M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
  11. B. Schmidt, D. Grambole, F. Herrmann. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 191, 482 (2002)
  12. E. Bauer, J.H. Van der Merwe. Phys. Rev. B, 33, 3657 (1986)
  13. M.Q. Xu, I.D. Sharp, C.W. Yuan, D.O. Yi, C.Y. Liao, A.M. Glaeser, A.M. Minor, J.W. Beeman, M.C. Ridgway, P. Kluth, J.W. Ager III, D.C. Chrzan, E.E. Haller. Phys. Rev. Lett., 97, 155 701 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.