ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле

С.Х.Шамирзаев *, Г.Гулямов, М.Г.Дадамирзаев *, А.Г.Гулямов

Наманганский инженерно-педагогический институт,
716003 Наманган, Узбекистан
* Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан,
700084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 21 декабря 2007 г. Принята к печати 20 марта 2008 г.)

Исследовано влияние разогрева электронов и дырок на коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики p-n-перехода в сильном СВЧ поле. Установлено, что коэффициент неидеальности диода зависит от типа носителей заряда, создающего основной ток в p-n-переходе. Выявлено, что в некоторых случаях в кремниевых образцах, несмотря на то что температура электронов выше, чем дырок, коэффициент неидеальности диода определяется температурой дырок.

PACS: 73.40.Kp, 73.50.Mx, 72.30.+q

 PDF версия (214Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster