ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кажущаяся низкочастотная зарядовая емкость
полупроводникового бора

О.А.Цагарейшвили , Л.С.Чхартишвили, Д.Л.Габуния

Институт металлургии и материаловедения им. Ф.Н. Тавадзе,
0160 Тбилиси, Грузия

(Получена 15 января 2008 г. Принята к печати 28 января 2008 г.)

Низкочастотная зарядовая емкость образцов полупроводникового бора оказывается в десятки раз больше по сравнению с геометрическим значением, рассчитываемым по размерам образца в предположении однородности материала. Объяснение наблюдаемому ступенчатому поведению температурной зависимости емкости можно найти на основе обобщенной барьерной модели неоднородного полупроводника, в рамках ее трехслойного варианта. Представляется, что планарные дефекты, характерные для реальных кристаллов бора, создают упругие напряжения, достаточно сильные для локального снижения проводимости. Кроме того, на границах подобных включений с относительно высокопроводящей матрицей также должны возникать низкопроводящие барьерные прослойки.

PACS: 72.80.Cw, 77.22.Ch, 77.22.Gm, 61.72.Nn, 72.20.Fr

 PDF версия (424Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster