ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe

С.А.Музафарова, Б.У.Айтбаев, Ш.А.Мирсагатов, К.Дуршимбетов*, Ж.Жанабергенов\kern1pt+

Физико-технический институт, Научно-производственное объединение \glqq Физика солнца\grqq
Академии наук Республики Узбекистан,
700084 Ташкент, Узбекистан
* Каракалпакский государственный университет,
708004 Нукус, Узбекистан
+ Каракалпакский государственный педагогический инстутит,
708004 Нукус, Узбекистан

(Получена 13 марта 2008 г. Принята к печати 27 марта 2008 г.)

Исследовано формирование твердого раствора на гетерогранице n-CdS/p-CdTe в солнечных элементах в зависимости от технологического режима и последующего стимулирующего фактора --- ультразвукового воздействия. Фазовый состав переходного слоя твердого раствора исследован с помощью неразрушающего фотоэлектрического метода, путем измерения спектрального распределения фоточувствительности в вентильном и фотодиодном режимах. Проведенные исследования показали, что фазовой состав и толщина слоя промежуточного твердого раствора CdTe1-xSx сильно зависят от технологического режима формирования гетероструктуры.

PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 81.40.Tv

 PDF версия (340Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster