Вышедшие номера
Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe
Музафарова С.А.1, Айтбаев Б.У.1, Мирсагатов Ш.А.1, Дуршимбетов К.2, Жанабергенов Ж.2
1Физико-технический институт, Научно-производственное объединение "Физика солнца" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Исследовано формирование твердого раствора на гетерогранице n-CdS/p-CdTe в солнечных элементах в зависимости от технологического режима и последующего стимулирующего фактора - ультразвукового воздействия. Фазовый состав переходного слоя твердого раствора исследован с помощью неразрушающего фотоэлектрического метода, путем измерения спектрального распределения фоточувствительности в вентильном и фотодиодном режимах. Проведенные исследования показали, что фазовой состав и толщина слоя промежуточного твердого раствора CdTe1-xSx сильно зависят от технологического режима формирования гетероструктуры. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 81.40.Tv
  1. Wu. Xuanzhi. J. Solar Energy, 77 (6), 803 (2004)
  2. N.B. Romeo, A. Bosio, V. Canevari, A.J. Podesta. J. Solar Energy, 77 (6), 795 (2004)
  3. M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1995)
  4. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
  5. A.S. Gilmore. PhD disertation. P. 136 (2002)
  6. R.A. Reynolds, M.J. Brau, H. Kraus et al. J. Phys. Chem. Sol. Suppl., 42, 511 (1971)
  7. Л.Д. Мизецкая, Н.Д. Буденная, Н.Д. Олейник. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов. (Киев, Наук. думка, 1975) с. 30--40
  8. Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов, С.А. Музафарова. Гелиотехника, N 2, 8 (1986)
  9. Лабораторные оптические приборы, под ред. А.А. Новицкого (М., Машиностроение, 1979)
  10. А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970)
  11. D. Bonnet, H. Rabenhorst. Proc. Int. Conf. Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunction and Layer Structure (Hungary, Budapest, Akademio Kiado, 1971) т. 1, с. 119
  12. K. Ohata, J. Saraie, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (10), 1641 (1973)
  13. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  14. Ш.А. Мирсагатов, К. Сабиров, С.А. Музафарова. ФТП, 21 (4), 733 (1987)
  15. Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
  16. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов, С.А. Музафарова. Письма ЖТФ, 29 (21), 82 (2003)
  17. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Физика в Узбекистане" (Узбекистан, Ташкент, 27--28 сентября 2005) с. 97
  18. Ш.А. Мирсагатов, Б.У. Айтбаев, В.М. Рубинов. ФТП, 30 (3), 550 (1987)
  19. И.В. Островский. Акустолюминесценция и дефекты в кристаллах (Киев, Выща. шк., 1995) гл. 4, гл. 6
  20. И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТТ, 42 (3), 478 (2000)
  21. B. Ostapenko, K. Bell. J. Appl. Phys., 77 (10), 5458 (1995)
  22. И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Л.Н. Применко, И.В. Прокопенко, В.Л. Громашевский. ФТП, 31 (4), 503 (1997)
  23. В.С. Аракелян, А.А. Авакян, Л.К. Капанакцян. ФТТ, 27 (8), 2536 (1985)
  24. M.K. Sheinkman, L.V. Borkovskaya, B.R. Dzhumaev, L.A. Drozdova, N.E. Korsunskaya, I.V. Morkevich, A.F. Singaevsky. Mater. Sci. Forum, 196--201, 1467 (1995)
  25. А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина. ФТП, 33 (4), 410 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.