ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи и обработки изображений

П.Г.Кашерининов , А.А.Томасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 ноября 2007 г. Принята к печати 3 марта 2008 г.)

Разработаны быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах (на основе CdTe, GaAs) для записи и обработки изображений с быстродействием до 106 цикл/с, что на 2--3 порядка превышает быстродействие известных регистрирующих сред на структурах полупроводник--(жидкий кристалл) (MIS-LC) фоточувствительностью 10-2 В/см2, пространственным разрешением 5-10 (пар лин.)/мм. Описываются принципы работы наноструктур в качестве быстрых оптических регистрирующих сред, методы считывания записанных изображений в таких средах. Реализованы быстрые оптические процессоры для записи изображений в некогерентном свете на базе наноструктур на кристаллах CdTe, показана возможность их использования для создания корреляторов изображений.

PACS: 42.79.Hp, 42.70.Nq, 73.40.Gk, 73.40.Qv

 PDF версия (340Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster