ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe

Ю.В.Клевков, С.А.Колосов , В.С.Кривобок , В.П.Мартовицкий, С.Н.Николаев

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 19 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Исследованы электрические, фотоэлектрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe с удельным сопротивлением 3.3·1010 Ом·см при 77 K. Крупнозернистый ZnTe в форме трубки был синтезирован при 730oC из паровой фазы в спутных потоках компонентов. Рентгеноструктурный анализ показал присутствие монокристаллических зерен как в направлении [111], так и в направлении [100]. Несмотря на неравновесные условия быстрой кристаллизации, измерения методом рентгеновской дифрактометрии показали неплохое кристаллическое качество. Низкотемпературная фотолюминесценция подтверждает упорядоченное распределение примесей в решетке. Набор примесей ограничивается Cu, Ag, Li, O. Спектры фотопроводимости и фотолюминесценции свидетельствуют о наличии малоизученных центров с уровнями в глубине запрещенной зоны. В областях с низкой плотностью двойников наблюдается высокий квантовый выход фотолюминесценции, отсутствие переходов, связанных с комплексными дефектами, наличие собственного излучения, имеющего ярко выраженную поляритонную структуру, проявление богатой структуры двухдырочных переходов, отсутствующих в кристаллах, полученных в процессе медленного роста.

PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 72.80.Ey, 78.55.Et

 PDF версия (299Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster